建兴 睿速 T11 M.2 NVMe 固态硬盘使用总结(容量|读取|写入)

【什么值得买 摘要频道】下列精选内容摘自于《SSD科学研究 篇四：1079元512G超本M2升级选择：LITEON 建兴 T11 512GB SSD固态硬盘 开箱评测》的片段：

安装好T11之后，准备测试

上机之后，这个盘一样需要在设备管理器的属性里面点击“关闭设备上的WINDOWS写入高速缓存告诉缓冲区刷新”。

到手的固件版本是1.0。可以通过建兴的SSDXFLASH工具在WIN下升级到2.0版本固件。

首先用AS SSD BENCHMARK随便压了一下1GB 3GB 5GB 10GB数据块大小：

0%空盘容量下，数据块越大，对SEQ持续写入和4K-64Thrd随机64队列深度写入影响也越大，这个2D TLC都是这个德行，倒是没什么意外，但是读取部分和4K写入部分轻微衰减。

首先是持续测试(Seq)，AS SSD会先以16MB的尺寸为单位，持续向受测分区写入生成1个达到1GB大小的文件，然后再以同样的单位尺寸读取这个，最后计算平均成绩而给出结果。测试一完毕，测试文件会立刻删除。

再来是随机单队列深度测试(4K)，测试软件会以512KB的单位尺寸生成1GB大小的测试文件，然后在其地址范围(LBA)内进行随机4KB单位尺寸进行写入及读取测试，直到跑遍这个范围为止，最后同样计算平均成绩给出结果。由于有生成步骤，本测试对硬盘会产生一共2GB的数据写入量。本测试完毕后，测试文件会暂时保留。

到随机64队列深度测试(4K-64Thrd)，软件则会生成64个16MB大小的测试文件(共计1GB)，然后同时以4KB的单位尺寸，同时在这64个文件中进行写入和读取测试，最后依然以平均成绩为结果。本步骤也同样产生2GB的数据写入量。本测试一完毕，测试文件会立刻删除。

接着是数据存取时间测试(Acc.time)，软件会以4KB为单位尺寸，随机读取全盘地址范围(LBA)，写入则以512B为单位尺寸，随机写入保留的1GB地址范围内，最后以平均成绩给出结果。----百度

90%满盘容量下，可以发现和空盘相比，最受到影响的是4K写入效能，从空盘的100 MB/S以上被打到4X MB/S。

然后我用CRYSTAL DISKMARK再去压了一次数据，选了1GB 4GB 16GB 32GB四个数据块大小进行测试。

0%空盘容量下 和前面AS SSD BENCHMARK结果差不多，随着数据块增大，持续写入和4K QD32的写入效能 发生降低。读取部分和4K写入部分轻微衰减变化不大。

90%满盘容量下，4K写入效能和前面一样被大大削弱，衰减程度和前面一样。

所以这个盘简单来说，写了数据之后的4K写入效能是会发生严重衰减的，而一旦测试数据块变大，持续写入效能也会跟着衰减。相对稳定的只有读取部分，明显的读取取向的SSD产品。

然后我用HDTUNE在RAW格式下检测了一下全盘持续写入和读取的效能衰减趋势。

读取是一直很稳定几乎一条线到底，平均值708.3MB/S

写入的话，开始一段是SLC Cache轨迹的高峰值，爆了SLC Cache之后，就开始大幅下降，并且呈剧烈的上下振动图形，一直在72~550MB/S之间震荡，平均在194MB/S。

老牌软件HD TACH RW版本测试的趋势和HDTUNE差不多，只不过数据更低一些，读取平均在524.4MB/S 写入在158MB/S附近。

所以这个盘的持续读写效能，应该和TLC的SATA盘差不多，高也高不了太多，持续读取很稳健能保持峰值稳定，而持续写入效能就会高高低低的不停来回震荡，感觉上和固件激进的垃圾回收机制有关。

所以这个盘如果你连续测试AS SSD BENCHMARK的话，只要爆掉SLC Cache之后，写入部分就会一下低一下高，给人的感觉就是写入部分不是很稳定，但是读取部分是没有问题的。

下面将要进行的是最大带宽测试和离散度测试，测试之前的预处理手法是：

* 清洗：安全擦除即SECURE EARSE

* 预热：使用IOMETER在128K持续写入双倍SSD容量

最大带宽测试

最大带宽测试其实是我对官标的一个验证测试，每个SSD都有自己的性能评估标准，而我们用类似的评估手法去评测性能，判定是否达到官方标称的性能参数。

使用IOMETER对128K进行持续读写，对4K进行随机读写，深度均为QD1-128，每个深度一分钟，统计最大值，列表。

由于手头上正好有T10 480GB，所以就一起测试比较一下。

T11 512GB 4K 随机写入最大带宽是137452 IOPS4K随机写入QD1-128的进程中，速度稳步上升到QD128，但和自己的师兄T10 480GB没得比

T11 512GB 4K 读取写入最大带宽是167947 IOPS
4K随机写入QD1-16的进程中，和T10 480G差不多，但从QD16-128深度中，妥妥被师兄超越和压制。

T11 512GB 128K 持续写入最大带宽是1061MB/S，QD1-QD128缓慢上升，随后在QD128达到最高峰值1061MB/S，但是一直被同门TOSHIBA 15NM 2D MLC的T10 480GB压制死死无法翻身。

T11 512GB 128K 持续读取最大带宽是1693MB/S，结果一样被T10 480GB压制

然后我们再次拿出官标的参数来看下，
官标最大化持续读：1500 MB/S 实测：1693MB/S
官标最大化持续写：1100 MB/S 实测：1061MB/S
官标最大化随机读：160K IOPS 实测：168K IOPS
官标最大化随机写：140K IOPS 实测：137K IOPS
基本可以说，官标达标。

但是仅仅从最大带宽来看，T11被T10压着被打趴下是没有问题的，毕竟接口带宽就差了一倍。

离散度测试

4K QD32 随机写入5000秒

当4K随机写入效能从43K IOPS跌下这一段是SLC Cache的轨迹，随后便是真实的高压下的4K随机写入效能，平均数值在2421 IOPS，最低下潜在1900IOPS附近，平均延迟密集分布在13MS附近，而最高的平均延迟在18.5MS附近。

4K QD32 随机读取5000秒

4K随机读取测试倒是如意料之中的雷打不动一条直线，稳定在115K IOPS，平均延迟0.3MS雷打不动。

128K QD32 持续写入5000秒

128KB的持续写入相对来说我觉得不稳，主动GC的锯齿浮动存在，在920~80MB/S附近不停的大幅抖动，平均189MB/S，平均延迟也不够稳定在5~63ms之间不停抖动，平均在21.07ms

128K QD32 持续读取5000秒

128K持续读取倒是意料中的的曲线，930MB/S的平均读取速度和4.5MS的平均延迟，非常的稳健。

离散度测试主要看一下这个盘的稳定性如何，从这个环节可以看出和以上所有测试类似的结果，就是涉及读都稳定，只要涉及写入环节，无论是持续还是随机，都会以主动GC恢复写入性能为固件的首要任务去进行操作，所以这个盘，每测一次，随机或者持续写入的速度都是不同的，而且时刻在不停的变化中。我相信这也是很多买了这个盘的消费者共同的感受。

不过群联主控的写入抖动并不仅仅出现在PS5008主控上面，PS5007主控一样有这个问题，只不过振幅没这么大而已。

这个测试令人稍微心安的是，写入没有抖动到0点的出现，说明虽然固件虽然写的一般般但是也没有明显的BUG存在，读取部分是没有任何问题的。

温度

温度来说，待机46度

在进行128KB QD32深度持续写入的测试中，也是全程温度最高的一段测试，满载温度在59度左右，感觉还是可以接受，放进去超极本里面，去掉马甲，大概要增加个6-8度附近，仍属可以接受范围。

总结

1、如果要在台式机或者笔记本上使用M.2 2280规格的NVME SSD的话，T10会比T11更快更稳定，LITEON的命名数字规则不代表任何含义，T10肯定比T11高一个规格，所以对写入性能有要求的消费者要在T10和T11中做抉择，可以毫不犹豫选择T10。

2、如果要在类似X260这类的只支持M.2 2242 NVME SSD的插槽的笔记本里增配一块SSD的话，除了T11你几乎没有更好的选择，遇到刚需你还是必须得买这块。虽然写入性能不令人满意，但是至少读取还是非常稳健的，而且是正片。三年包换至少比一些OEM货要令人放心一些。