3.30 内存条价格
3月30日内存条市场价格监测显示，DDR4与DDR5内存价格走势呈现明显差异。与月初相比，整体市场跌幅显著，但近期不同规格出现分化趋势。DDR4部分型号仍处于降价通道，而DDR5部分高端型号出现价格回暖迹象。类型规格当前均价30天涨幅较前日变动DDR43200 8G*21056-1.8%-1.7%DDR43600 8G*21299-1.3%-0.4%DDR44000 8G*21299-2.6%-0.0%DDR43200 16G*218170.4%+0.3%DDR43600 16G*21983-0.3%-0.3%DDR44000 16G*224070.6%+1.2%DDR43200 32G*24158-10.1%-0.0%DDR43600 32G*24406-0.7%-0.0%DDR56000 8G*217954.5%+1.4%DDR56400 8G*21769-2.7%-0.0%DDR56000 16G*23163-1.5%-0.2%DDR56400 16G*23340-3.0%-1.2%DDR56800 16G*23440-2.4%+0.3%DDR57000 16G*23342-7....
存储芯片短缺或持续至2030年，巨头预判供需失衡仍将加剧
近期，存储芯片行业的供需状况成为市场关注焦点。从全球主要存储芯片制造商及高管的公开表态来看，受限于生产瓶颈与产能扩张周期，存储芯片的供应短缺问题短期内难以解决，价格涨势预计将持续较长时间。01行业高管预判供应短缺常态化SK海力士、英特尔及台湾地区多家存储大厂的高管近期密集发声，对市场供需状况表达了高度一致的紧缩预期。SK海力士董事长崔太源指出，人工智能行业的爆发式需求正在加剧供应缺口，而生产端的系统性瓶颈难以快速突破。厂商短缺情况预判SK海力士：短缺持续至2030年系统性瓶颈导致产能受限全球内存芯片短缺情况或持续到2030年当前AI存储芯片短缺率已超过30%DRAM、NAND和HBM价格将持续上扬英特尔与美光：缓解需至2028年产能投放周期长，供需难以平衡英特尔CEO：2028年前供应短缺不会缓解美光爱达荷州工厂2027年中期投产，2028年量产美国官方公开表达相同观点台系厂商：价格看涨至今年底近期合约价跳涨，供需未改善南亚科：第二季度报价跳涨，今年底前一路向上威刚：内存短缺问题两年内无解，价格稳步走深NAND Flash有望在未来一至两个季度出现补涨行情02关键事件节点与预期2024...
